Танталовый лист 0,8х50х100 мм ТВЧ в Сочи

Танталовый лист обладает высокой стойкостью к большинству органических растворителей. Температура окружающей среды обычно мало влияет на скорость коррозии тантала в этих средах, так как они не взаимодействуют с его пассивной оксидной пленкой. Однако, при очень высоких температурах могут проявляться специфические реакции.

В космической отрасли танталовый лист имеет перспективы использования для создания компонентов ракетных двигателей, тепловых экранов, элементов обшивки космических аппаратов и систем жизнеобеспечения. Его высокая температура плавления, коррозионная стойкость и прочность при высоких температурах незаменимы для работы в условиях космоса.

Для концентрированной серной кислоты при температурах до 200°C оптимальны листы марок ТВЧ и ТаВ. ТВЧ проявляет высокую стойкость к окисляющим кислотам, а ТаВ, с добавлением ниобия, может демонстрировать улучшенную устойчивость к некоторым типам серной кислоты, особенно при наличии примесей.

Особенности обработки поверхности танталового листа для улучшения адгезии покрытий включают механическую очистку (шлифовка, пескоструйная обработка), химическое травление (для удаления оксидов и жиров) и активацию поверхности. Целью является создание чистой, слегка шероховатой поверхности без загрязнений.

Для танталового листа марки ТВЧ при 20°C характерна предельная прочность при растяжении в диапазоне от 200 до 300 МПа, в зависимости от состояния поставки (отожженный или наклепанный). Это значение является важным показателем несущей способности материала.

Для создания тонкопленочных покрытий методом вакуумного напыления используются танталовые листы высокой чистоты, такие как марка ТВЧ. Их применяют как мишени для магнетронного распыления или испарения, что обеспечивает получение высококачественных и однородных пленок.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.